FERA3

by iscienceuser

A világ első, teljesen integrált Xe plazma forrású FIB SEM rendszere kiemelkedően magas ion áram értékekkel (akár 2 μA), lehetővé téve akár 50x gyorsabb marási sebességet a hagyományos Ga-forrású FIB rendszerekhez képest. A FERA3 így képes olyan nagy térfogatú minták marására is, amelyek korábban túl sok időt igényeltek, vagy egyáltalán nem voltak lehetségesek.

A FIB-SEM mikroszkópok a lehetőségek új világát nyitják ki előttünk, elérhetővé téve olyan felhasználásokat is, amelyek korábban nem voltak lehetségesek egyik önálló rendszerrel sem. A FIB-SEM rendszerekben az ion nyaláb és az elektron nyaláb egy pontban fókuszálódik, mely optimális számos felhasználáshoz. Lehetővé válik az egyidejű SEM képalkotás a FIB marási folyamat során is -egy jelentős ugrás a teljesítmény és az áteresztőképesség terén olyan FIB felhasználásoknál, amelyek extrém nagy precizitást igényelnek. A FERA3 biztosítja a vevőknek a legújabb technológiák nyújtotta előnyöket: mint pl. az új, továbbfejlesztett, nagy teljesítményű elektronika a gyorsabb képalkotásért; ultragyors pásztázó rendszer az álló és mozgó képek aberrációinak kompenzálásával; ill. a „scripting” a felhasználó által meghatározott alkalmazásokhoz.

Főbb jellemzők:

  • Modern Elektronoptika

    • Egyedülálló, 4-lencsés Széles Látómezejű OptikaTM mely lehetőséget biztosít számos munka- és megjelenítési-módra, megnövelt látómezővel és mélységi fókusszal.
    • Valós-idejű, „In-Flight” Nyaláb NyomkövetésTM” a teljesítmény és optimalizáció szolgálatában, kiegészítve a jól bevált Electron Optical Design szoftverrel.
    • Teljesen automata mikroszkóp felállás, beleértve az elektron-optikát és hangolást is.
    • Gyors képalkotás, akár 20ns rátával.
    • 3D Nyaláb Technológia, mely hozzájárul az egyedi élő, térhatású képalkotáshoz; megnyitva a micro és nanovilág 3D élményét.
  • Rendkívül nagy teljesítményű Xe plazma FIB oszlop: ECR-generált Xe plazma ion forrású FIB oszlop, a kihívást jelentő, verhetetlenül gyors marási funkciókért.

    • 50x gyorsabb mint a GA LMIS FIB rendszerek.
    • Ion nyaláb áram tartománya 1 pA-től  2 µA-ig, kisebb mint 25nm felbontás mellett.
    • Új fejlesztésű, nagy felbontású Xe plazma FIB forrás (opcionális), amely lehetővé teszi akár a 15nm alatti felbontást is.
    • Nagy-tömegű Xe ionok magasabb FIB áram tartománnyal, a kiemelkedően gyors porlasztásért, akár gáz segítsége nélkül is.
    • Az Ion beépülés jelentős csökkenése a Ga LMIS FIB rendszerekhez képest.
    • A Xe nemesgáz atomok nem befolyásolják az anyag elektromos tulajdonságait a megmunkált területen.
    • Nem keletkeznek fémközti vegyületek FIB megmunkálás során.