GAIA3 Modell 2016

by iscienceuser

Ultra-nagy felbontású képalkotás és rendkívül precíz nanomegmunkálás.

A GAIA3 modell az ideális választás olyan, kihívást jelentő alkalmazási területeken, mint pl. a nanoengineering, ahol a kivételes precizitás és a mikroanalízis támasztotta követelményeknek kell megfelelni. Ilyen alkalmazási területek: kiváló minőségű, ultravékony TEM metszetek készítése; rétegeltávolítás különböző technológiai folyamatokban; precíz nanomintázatok létrehozása és nagy felbontású 3D rekonstrukciós eljárások.

  • Triglav™ - új tervezésű, kiváló felbontású elektronoszlop TriLens™ objektív-rendszerrel és fejlett detekciós rendszerrel.
  • objektív rendszer, amely egyedülállóan ötvözi a 3 lencsés objektívet a kereszteződésmentes nyalábokkal.
  • Fejlett és összetett detekciós rendszer a különböző jelek egyidejű érzékelésére.
  • -nanométeres felbontás: 0.7 nm 15 keV-nál.
  • Egyedülállóan magas felbontás: 1.0 nm 1 keV-nál.
  • Szög-szelektív BSE detektorok a maximális topográfiai és elemi kontraszt érdekében, akár alacsony energiaszintek mellett is. 
  • Real-time In-Flight Beam Tracing™ a teljesítmény és nyaláb optimalizálás érdekében.
  • A hagyományos TESCAN Wide Field Optics™ tervezés lehetőséget nyújt számos munka- és megjelenítési módra.
  • Hatékony hőenergia elvezetés az oszlop stabilitásának növelése érdekében.
  • Új Schottky FE elektron ágyú, amely akár 400nA elektronáramot is biztosít, mely gyorsan változtatható.
  • Ideális biológiai minták elemzésére.
  • Mágneses minták elemzése is lehetséges.
  • Optimalizált oszlop geometria (SEM és FIB alkalmazások során).
  • Egyedülálló, valós-idejű sztereoszkópikus képalkotás 3D nyalábtechnológia segítségével.
  • Felhasználóbarát, kifinomult szoftver (moduláris felépítésű) automata mérési protokollokkal.

Cobra FIB oszlop:

  • Nagy teljesítményű Ga FIB oszlop, a nagy precizitást igénylő nanoengineering felhasználásoknál.
  • Csúcstechnológia a felbontás szolgálatában, a képalkotás és a marás során.
  • A Cobra FIB oszlopa garantálja a leggyorsabb keresztmetszeti képalkotást és TEM minta készítést is.
  • FIB felbontás: < 2.5 nm.
  • FIB-SEM tomográfia, a nagy felbontású 3D mikrostruktúra analízishez.
  • Ideális 3D ultrastuktúrális vizsgálatokhoz, érzékeny biológiai minták esetében.
  • Kiváló teljesítmény alacsony kV nyalábfeszültségnél, ami ideális eszközzé teszi ultra-vékony rétegek polírozásához és az amorf rétegek redukálásához.

Mindezen tulajdonságai miatt, a GAIA3 modell alkalmas minden olyan felhasználáshoz, amely alacsony nyaláb-energiát igényel, a minta egyedi struktúrájának megőrzése érdekében, pl. alacsony k-dielektrikus anyagok, fényérzékeny anyagok vagy bevonat nélküli biológiai minták. Amennyiben a minta módosítása a cél, a GAIA3 tökéletes megoldást jelent a kihívást jelentő nanomegmunkálás és nanogyártás felhasználásokhoz.