Ultra-nagy felbontású képalkotás és rendkívül precíz nanomegmunkálás.
A GAIA3 modell az ideális választás olyan, kihívást jelentő alkalmazási területeken, mint pl. a nanoengineering, ahol a kivételes precizitás és a mikroanalízis támasztotta követelményeknek kell megfelelni. Ilyen alkalmazási területek: kiváló minőségű, ultravékony TEM metszetek készítése; rétegeltávolítás különböző technológiai folyamatokban; precíz nanomintázatok létrehozása és nagy felbontású 3D rekonstrukciós eljárások.
- Triglav™ - új tervezésű, kiváló felbontású elektronoszlop TriLens™ objektív-rendszerrel és fejlett detekciós rendszerrel.
- objektív rendszer, amely egyedülállóan ötvözi a 3 lencsés objektívet a kereszteződésmentes nyalábokkal.
- Fejlett és összetett detekciós rendszer a különböző jelek egyidejű érzékelésére.
- -nanométeres felbontás: 0.7 nm 15 keV-nál.
- Egyedülállóan magas felbontás: 1.0 nm 1 keV-nál.
- Szög-szelektív BSE detektorok a maximális topográfiai és elemi kontraszt érdekében, akár alacsony energiaszintek mellett is.
- Real-time In-Flight Beam Tracing™ a teljesítmény és nyaláb optimalizálás érdekében.
- A hagyományos TESCAN Wide Field Optics™ tervezés lehetőséget nyújt számos munka- és megjelenítési módra.
- Hatékony hőenergia elvezetés az oszlop stabilitásának növelése érdekében.
- Új Schottky FE elektron ágyú, amely akár 400nA elektronáramot is biztosít, mely gyorsan változtatható.
- Ideális biológiai minták elemzésére.
- Mágneses minták elemzése is lehetséges.
- Optimalizált oszlop geometria (SEM és FIB alkalmazások során).
- Egyedülálló, valós-idejű sztereoszkópikus képalkotás 3D nyalábtechnológia segítségével.
- Felhasználóbarát, kifinomult szoftver (moduláris felépítésű) automata mérési protokollokkal.
Cobra FIB oszlop:
- Nagy teljesítményű Ga FIB oszlop, a nagy precizitást igénylő nanoengineering felhasználásoknál.
- Csúcstechnológia a felbontás szolgálatában, a képalkotás és a marás során.
- A Cobra FIB oszlopa garantálja a leggyorsabb keresztmetszeti képalkotást és TEM minta készítést is.
- FIB felbontás: < 2.5 nm.
- FIB-SEM tomográfia, a nagy felbontású 3D mikrostruktúra analízishez.
- Ideális 3D ultrastuktúrális vizsgálatokhoz, érzékeny biológiai minták esetében.
- Kiváló teljesítmény alacsony kV nyalábfeszültségnél, ami ideális eszközzé teszi ultra-vékony rétegek polírozásához és az amorf rétegek redukálásához.
Mindezen tulajdonságai miatt, a GAIA3 modell alkalmas minden olyan felhasználáshoz, amely alacsony nyaláb-energiát igényel, a minta egyedi struktúrájának megőrzése érdekében, pl. alacsony k-dielektrikus anyagok, fényérzékeny anyagok vagy bevonat nélküli biológiai minták. Amennyiben a minta módosítása a cél, a GAIA3 tökéletes megoldást jelent a kihívást jelentő nanomegmunkálás és nanogyártás felhasználásokhoz.