TESCAN SEM/FIB-SEM integrált Raman spetrometriával

by iscienceuser

A teljesen integrált, korrelatív Raman képalkotás és a pásztázó elektronmikroszkópia átfogó mintaelemzést tesz lehetővé, a két technológia ötvözésével. Lehetővé válik a mintafelszín ultra-strukturális tulajdonságainak korreláltatása a minta molekuláris összetételével.

A Raman spektrometria és a pásztázó elektronmikroszkópia ötvözése lehetőséget ad a kutatóknak, hogy kiterjesszék, bővítsék a SEM elemzőképességét. A Raman képalkotás egy jól ismert spetroszkópiai módszer; segítségével információ nyerhető, mind a mintát alkotó elemek kémiai és molekuláris összetételéről, mind azok térbeli eloszlásáról. Alkalmas továbbá 2D és 3D képalkotásra illetve mélységi profilok készítésére is, hogy a molekuláris összetevők mintán belüli térbeli megoszlása is láthatóvá váljon.

A Raman spektrometria nem csupán az anyagok fázisának meghatározására alkalmas, de segít megállapítani a vizsgált anyag állapotát is. Néhány Raman sáveltolódás utalhat az anyagot ért stresszhatásra. A stressz intenzitása mérhető és megjeleníthető. A Raman spektroszkópia alkalmas a szilárd fázisú anyagok kristályszerkezetének meghatározására is, a Raman sávok szélességére alapozva. További információkat nyerhetünk az anyagokról, a sávok intenzitásának vizsgálata által: ez korrelál egyrészt az anyag tömegével, másrészt a rétegzett anyag vastagságával is. Ez a módszer alkalmas lehet például arra, hogy megkülönböztessük a mono-, bi- vagy multi-rétegződésű grafén területeket.

  • Gyors és egyszerű váltás a SEM és Raman üzemmódok között.
  • Automata mintatovábbítás az egyik mérőpozícióból a másikba.
  • Integrált, felhasználóbarát szoftver kezelőfelület.
  • A Raman mérési eredmények és a SEM képalkotás korreláltatása.
  • Kompromisszummentes Raman és SEM képalkotási lehetőségek.
  • A Raman mikroszkópia segítségével információt kaphatunk az anyagok kémiai összetételéről és egyéb tulajdonságairól (stressz, orientáció, kristályszerkezet) is.
  • A Raman spektroszkópia az EDX kiegészítő módszere.