XEIA3

by iscienceuser

Hihetetlenül nagy felbontású képalkotás és kiemelkedő és mikro-megmunkálási teljesítmény ötvözve egyetlen gépben. Amikor a felhasználás kiemelkedően erőteljes és ultragyors micro/nano-FIB megmunkálás, kompromisszumok nélküli ultra-nagy felbontás alacsony nyaláb energiák mellett, gyors és megbízható mikroanalízis vagy 3D analitikai rekonstrukció, a XEIA3 az ideális FIB-SEM megoldás. Az új generációs XEIA3 rendszerrel a Tescan nemcsak a kategória legjobb mikroszkópját nyújtja Önnek, de segít kitolni a tudomány határait és a kutatókat újabb kihívások elérésére ösztönzi. Az anyagtudománytól az élettudományig vagy a műszaki és félvezető iparig a TESCAN garantálja a kompromisszum-mentes megoldást minden felhasználó számára.

Főbb jellegzetességek:

  • Triglav™ -új ervezésű Ultra-Nagy –Felbontású (UHR) elektron oszlop
    • TriLens™ objektív rendszer: együlálló kombinációja a 3-lencsés objektívnek és a kereszteződés-mentes nyalábnak
    • Fejlett detektorrendszer számos SE és BSE detektorral
      • TriSE™ és TriBE™
    • Triglav™ - egyedülálló ultra nagy felbontás (UHR) alacsony nyaláb energia mellett is: 1nm 1keV vagy 0.7nm 15keV értéknél
    • EquiPower™ hőenenergia elszívó rendszer a kiemelkedő elektron oszlop stabilitásért
    • Elektron-nyaláb áram akár 400nA-ig és a nyaláb energia gyors változtatási lehetősége.
    • Optimalizált nyaláb geometria a nagy minták vizsgálatára (8”)
  • Kiemelkedően erőteljes/hatékony plazma FIB oszlop ECR-generált Xe plazma ion-forrással rendelkező FIB oszlop a legnagyobb kihívást jelentő marási feladatokhoz verhetetlenül rövid idő alatt.
    • 50x gyorsabb, mint a Ga LMIS FIB
    • Ionáram tartomány 1 pA-tól 2 µA-ig, felbontás 25nm alatt
    • Új fejlesztésű nagy felbontású Xe plazma FIB forrás (opcionális) amely lehetővé teszi akár a 15nm alatti felbontást is
    • Nagy-tömegű Xe ionok magasabb FIB áram tartománnyal a kiemelkedően gyors porlasztásért, akár gáz segítsége nélkül is
    • Az Ion beépülés jelentős csökkenése a Ga LMIS FIB rendszerekhez képest
    • A Xe nemesgáz atomok nem befolyásolják az anyag elektromos tulajdonságait a megmunkált területen
    • Nem keletkeznek fémközti vegyületek FIB megmunkálás során